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上海堅融實業碳納米管MOSFET電流-電壓特性IV曲線測試
日期：2014-06-13瀏覽：2471次
上海堅融實業碳納米管MOSFET電流-電壓特性IV曲線測試
實驗室中研究的許多納米級材料和器件，zui常見的電氣特性分析方法是電流與電壓 (I-V) 測試。電流-電壓特性是顯示電子器件上的直流電流與其兩端的直流電壓之間關系的一幅圖。電氣工程師使用這些圖確定器件的基本參數并對電子電路的行為建模。通常，工程師將特性分析圖稱為 I-V曲線，從而指用于電流和電壓的標準符號。典型的碳納米管MOSFET 的漏電壓與漏電流 I-V 曲線。
上海堅融實業有限公司對于納米電子的具體電流與電壓測量有自己的選型指南方案，可以協助納米科學研究人員進行
1.精密、有把握地分析納米材料和實驗器件的能力；
2.直流、脈沖、射頻測試：拓展發現的潛力；
3.吉時利KEITHLEY4200-SCS 符合并且支持世界*項用于碳納米管的電測量標準 —— IEEE P1650-2005 標準：“測量碳納米管電氣特性的 IEEE 標準測試方法”。
4.吉時利KEITHLEY高速和簡潔的測試方案能讓生物學家、化學家、物理學家或其他研究人員簡便地進行復雜測量。
5.吉時利產品在久負盛名的納米科學研究期刊中廣泛使用和引用，例如：
- 《納米快報》(Nano Letters) - 《納米技術》(Nanotechnology) - 《IEEE 納米技術匯刊》(IEEE Transactions on Nanotechnology)
- 《先進材料》(Advanced Materials) - 《自然》(Nature) - 《應用物理快報》(Applied Physics Letters)
納米聯盟合作伙伴資源有：納米工程功能材料研究中心 (FENA)，西部納米電子研究所 (WIN)，加州納米系統研究院 (合作伙伴)
產品分類
- 氫檢儀氣密性檢漏檢測儀
- 國產源表，替代keithley
- 穩科Wayne Kerr/MICROTEST
- 體積電阻率/表面電阻測試
- 半導體I-V/C-V/I-R測試
- 介電常數/電導率測試方案
- 大眾VW80000/通用GMW3172/ISO16750標準測試
- 電化學工作站/恒電位儀
- IBGT/MOSFET/SiC/GaN測試
- 電池/光伏/汽車充電樁測試
- DESCO/KLEINWACHTER靜電測試
- 體積電阻，電阻計，記錄儀
- 吉時利KEITHLEY/泰克Tektronix
- 安捷倫Agilent/是德KEYSIGHT
- 愛斯佩克ESPEC環境試驗箱
- 普源RIGOL/致遠ZLG/鼎陽SIGLENT
- 邏輯分析儀/總線協議測試
- Chroma致茂/EEC華儀EXTECH
- EMI/EMC/EMS電磁干擾兼容
- 美國BK PRECISION
- 紅外熱像儀
- 物料輪廓顏色缺料視覺篩選
- 賓德BINDER試驗箱
- 博勒飛Brookfield
- 愛色麗X-Rite/電色NIPPON
- 梅特勒METTLER
- 金相切割/鑲嵌/研磨拋光
- ADCMT愛德萬ADVANTEST
- COSMOS氣體/鐵粉濃度計
- ITECH艾德克斯/NGI恩智
- 羅德與施瓦茨R&S（惠美HAMEG）
- 同惠/長盛/安柏
- 標準源/計量校準檢定設備
- 晶圓、芯片、屏幕Particle
- 日置HIOKI/國產替代
- 鎖相放大器
- 噪聲/振動/聲學測試方案
- 日本KIKUSUI/IWATSU/HIOKI
- 電聲器件測試設備
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- 永磁軟磁磁通量測試
- 汽車電子標準波形可編程電源
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